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成果名称:InGaAs 短波红外探测器

标       签:空间探测领域、半导体器件制造业应用场景:在空间探测领域已成功用于深空探测;在 遥感方面已应用于探测地球矿...
  • 成果水平:
    未评价
  • 应用阶段:
    可以量产
  • 创新形式:
  • 合作方式:
  • 成果属性:
    原始创新
  • 交易状态:
    未交易
  • 所  在  地:
    陕西省
  • 价       格: 
    面议
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成果详情

【技术/产品概述】该探测器由 InGaAs 探测器阵列芯片、读出电路芯片、金属管壳、TEC 致冷器、温度传感器、吸气剂、窗口片等组成,目标反射或辐射由探测器光学窗口进入探测器组件,其反射或辐射信号由 InGaAs 探测器阵列芯片上的光敏元阵列的ingaas 吸收层所吸收,并将其转变为电信号。

【技术指标/产品性能】面阵规模:320×256~1280×1024;像元尺寸:15μm、10μm;工作波段:0.9μm~1.7μm;探测率:D*≥5×1012 cm?Hz1/2/W;封装形式:真空封装;工作温度:室温工作。

【转化形式】合作开发。

【应用场景】在空间探测领域已成功用于深空探测;在 遥感方面已应用于探测地球矿产资源,监测土壤、植被含水 量及人气成份变化,农作物估产及防灾减灾等;在商用方面已应用于各种光电通讯设备、短波红外光谱仪、短波红外探伤、短波红外测定含量、半导体器件制造业中的芯片在线自 动检测等,并开始应用于生物医学、科学研究等领域。


【所处阶段】批量生产、成熟应用阶段。

【预期效益】该产品技术的推广,对提高我国核心电子 芯片的自主知识产权具有重要意义,同时,产能增加和应用市场的扩大,将带来较为可观的经济效益。预计投资回收期

4 年,预期回报率 25%。

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